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Central Semiconductor Corp 中央半导体

Central

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漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
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功率 - 最大值：350mW
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-6480
包装： 散装
参考价格:￥0.113000
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封装：SOT-23
料号：JTG8-7634
包装： 带卷（TR）
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料号：JTG8-7726
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外壳：
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料号：JTG8-7810
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丝印：
外壳：
封装：SOT-883
料号：JTG8-7933
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.113000
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替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：30V
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Vgs(最大值)：
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功率 - 最大值：100mW
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封装：SOT-883
料号：JTG8-7936
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外壳：
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料号：JTG8-7937
包装： 散装
参考价格:￥0.113000
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描述： MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F
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封装：SOT-23F
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):115mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):160mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.46nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125mW（Ta） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.5nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125mW（Ta） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.66nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 3V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.57nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 3V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.66nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 3V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):450mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.88nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：3.2A（Ta）
Vgs(最大值)：12V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-23F
料号：JTG8-8020
包装：
参考价格:￥0.113000
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):115mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):160mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.46nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125mW（Ta） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.5nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125mW（Ta） 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.66nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 3V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.57nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 3V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.66nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 3V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):450mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.88nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):2.3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，5V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 1.2A，5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.2A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:50 毫欧 @ 1.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):2.4A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:91 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.6nC @ 5V *Vgs(最大值):12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:350mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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丝印：
外壳：
封装：SOT-23F
料号：JTG8-8023
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参考价格:￥0.113000
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描述： MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
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漏源极电压（vdss）：30V
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料号：JTG8-8026
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替代：
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fet 功能：标准
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丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG8-8258
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.113000
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
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替代：
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丝印：
外壳：
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参考价格:￥0.113000
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):115mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):160mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.46nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 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外壳：
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料号：JTG8-8501
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参考价格:￥0.113000
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品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
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型号： CWDM305P TR13复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CWDM305P TR13' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CWDM305P TR13' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
参数： *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):115mA（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):280mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.59nC(4.5V) *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):160mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.46nC @ 4.5V *Vgs(最大值):8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 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连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.66nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:45pF @ 3V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:标准 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):1.78A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.79nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):450mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.88nC @ 4.5V *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *fet 功能:逻辑电平门 *功率 - 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替代：
fet 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极(id)：5.3A（Ta）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：2W
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG8-8532
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.113000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CWDM305P TR13' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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